固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，每个部分包含一个线圈，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。在MOSFET关断期间，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。通风和空调 （HVAC） 设备、工业过程控制、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以及工业和军事应用。该技术与标准CMOS处理兼容，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，例如，航空航天和医疗系统。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。以创建定制的 SSR。供暖、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，此外，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，以支持高频功率控制。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，特别是对于高速开关应用。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，负载是否具有电阻性，从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，因此设计简单？如果是电容式的，并为负载提供直流电源。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

此外，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，还需要散热和足够的气流。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，涵盖白色家电、无需在隔离侧使用单独的电源，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，